国投创业投资企业拓荆科技登陆科创板

日期: 2022-04-20

  2022年4月20日,薄膜沉积设备企业拓荆科技股份有限公司(股票简称:拓荆科技,股票代码:688072)正式在上交所科创板挂牌上市。

  拓荆科技是我国半导体设备产业链上的领先者,也是国投创业在国家科技重大专项02专项投资布局的重要企业。2017年,国投创业重磅领投拓荆科技,成为公司第二大股东,并持续投后赋能,助力企业推进产品研发、客户验证和市场拓展。

  硬核科技创新,筑牢竞争优势

  拓荆科技成立于2010年4月,是中国半导体设备五强企业,主要从事高端半导体专用薄膜沉积设备的研发、生产以及技术服务,产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积 (ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备等三个系列,是目前国内唯一一家实现产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商,打破了应用材料、先晶半导体、泛林半导体、东京电子等国际巨头在该领域的长期垄断。

  薄膜设备支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。随着集成电路制造不断向先进工艺发展,单位面积集成的电路规模不断扩大,芯片内部立体结构日趋复杂,所需要的薄膜层数越来越多,对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。90nm CMOS工艺,大约需要40道薄膜沉积工序;3nm FinFET工艺产线,则需超过100道薄膜沉积工序,涉及的薄膜材料由6种增加到近20种,对于薄膜颗粒的要求也由亚微米级提高到纳米级。

  拓荆科技立足自主创新,先后承担多项国家科技重大专项课题,在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化核心技术,达到国际先进水平。其中,薄膜工艺设备设计技术、反应模块架构布局技术、半导体制造系统高产能平台技术等核心技术,不仅解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题,还在保证实现薄膜工艺性能的同时,提升了客户产线的产能,减少了生产成本。

  经过十多年的技术积累,拓荆科技已形成覆盖二十余种工艺型号的薄膜沉积设备产品,广泛应用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,同时已展开 10nm 及以下制程产品验证测试,在研产品已发往国际领先晶圆厂参与其先进制程工艺研发。

  拓荆科技本次上市所募资金将用于高端半导体设备扩产、先进半导体设备的技术研发与改进,以及ALD设备研发与产业化等项目,进一步扩大生产经营规模,提高技术研发实力,提升公司核心竞争力。

  培育领军企业,助力产业链自主可控

  国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”(02专项),将半导体制造装备攻关列为重点支持方向。光刻、刻蚀、薄膜沉积和化学机械抛光是四大核心关键工艺,这些核心工艺设备循环往复,完成集成电路复杂的多层微纳结构。在四大半导体关键设备中,薄膜沉积设备的市场占比约为25%。

  2017年,拓荆科技正处于产品研发验证关键阶段,怀着“服务国家创新战略、聚焦科技成果转化”的初心使命,国投创业果断决策,以国家科技重大专项成果转化基金大比例领投拓荆科技,成为公司第二大股东。该轮投资高效有力,正当其时,将拓荆科技推入发展“快车道”,迅速成长为国内半导体设备行业的领军企业之一。

  除薄膜沉积外,国投创业还重点布局了光刻、等离子体刻蚀和化学机械抛光等半导体核心设备,检测、测试等辅助设备企业,并拓展半导体关键零部件细分行业,陆续投资中微公司、华海清科、芯碁微装、中科飞测、悦芯科技、富创精密、启尔机电、恒运昌等一批领军企业,围绕产业链上下游持续赋能,导入资源,协同整合,助力我国半导体设备关键核心技术实现自主可控。


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